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PN8386集成超低待機功耗準諧振原邊控製器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用於高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(264VAC)小於50mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術提高效率並消除音頻噪聲,使得係統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使係統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了極為全麵的智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
PN8386產品特點:
■ 內置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 內置高壓啟動電路小於50MW空載損耗(264V AC)
■ 采用準諧振與多模式技術提高效率滿足6級能效標準
■ 全電壓輸入範圍±5%的CC/CV精度
■ 原邊反饋可省光耦和TL431
■ 恒流恒壓輸出線補償外部可調
■ 無需額外補償電容
■ 無音頻噪聲
■ 智能保護功能:過溫保護(OTP)、VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)、逐周期過流保護 (OCP)、CS開/短路保護 (CS O/SP)、開環保護 (OLP)。
pn8386引腳功能及電壓
典型應用電路
應用領域
■ 開關電源適配器
■ 電池充電器
■ 機頂盒電源
PN8386是超低待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器,擁有恒壓恒流控製環路,可以實現高精度的恒壓、恒流輸出,以滿足大部分充電器和適配器需求,典型應用於5V3A 適配器六級能效方案,更多PN8386產品手冊、電氣規格、變壓器規格、性能測試等應用資料請向芯朋微代理午夜福利视频一区電子申請。>>