中國向存儲芯片產業進軍,但長遠發展會是怎樣的呢?
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近期,紫光集團計劃投資120多億美元用於建造一家新的存儲芯片廠以及進行半導體業務收購;武漢新芯集成電路製造有限公司將募集約240億美元打造中國的存儲芯片產業基地。這是中國公司吹起的進軍存儲芯片產業最響亮的衝鋒號。
根據賽迪顧問提供數據,2014年中國存儲芯片市場規模達到2465.5億元,占國內芯片市場比重的23.7%,其比重超過CPU、手機基帶芯片。
中國存儲芯片產業基本空白,幾乎100%依賴進口。三星、美光、東芝、海力士等企業壟斷的存儲器市場高達800億美元,而中國每年進口的存儲芯片就達600億美元。
對此,我國台灣企業威剛科技董事長陳立白的觀點頗有代表性。“2014年中國大陸DRAM消耗量已達102億美元,約占全球市場的20%;NAND Flash消耗量也接近全球市場的25%。”陳立白說,“以這個數據來看,任何一個政府都會自己做。”
幾乎100%依靠進口芯片
相對於整個半導體產業來說,過去幾年存儲器產業的發展顯得更為搶眼。根據Gartner的統計,由於供應不足及價格持續穩定,2014年DRAM銷售額實現31.7%的增長,突破460億美元,超過1995年創下的記錄,創曆史新高。
從全球半導體企業營收排名中,也可以看出存儲器的重要性。在2014年的榜單中,壟斷存儲器市場的三星電子、美光、SK海力士分別排在第二、第四和第五的位置,其中DRAM分別占到美光、SK海力士總營收的七成和八成左右。
從市場份額來看,2015年第三季度全球DRAM市場最新統計數據顯示,三星電子、SK海力士、美光的市場占有率分別是47%、28%和 19%,合計達到驚人的94%。如果以廠商所在地區來計算的話,韓國企業占據了七成以上的市場,美國企業占兩成,我國台灣企業約占5%左右。
在這樣的高度壟斷下,我國大陸的存儲器產業是一片空白,幾乎100%依賴進口。賽迪顧問的數據顯示,2014年中國存儲芯片市場規模達到 2465.5億元,超過CPU、手機基帶芯片。芯謀研究的相關報告中也指出,三星電子、美光、東芝、SK海力士等企業壟斷的存儲器市場高達800億美元,而中國每年進口的存儲芯片就達到600億美元。
實際上,在2014年6月國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要》後,國內企業在芯片領域的大手筆布局就層出不窮,但直到今年年中為止,存儲器領域一直未有斬獲。
捷報從7月1日起才開始傳來,武嶽峰資本力挫賽普拉斯購得芯成半導體,進入DRAM領域。隨後,傳出武漢新芯將募資250億美元打造國家級存儲芯器產業基地的消息。近日,紫光集團更是通過對西部數據股份的收購間接入股了閃迪。國內存儲器產業總算是有點盼頭了。
我國台灣曾經用300億美元買教訓
“主流存儲器,不管是DRAM還是NAND,拚的都是先進工藝和規模。美、韓、日之前都是走的這條路。”賽迪智庫集成電路產業研究所所長霍雨濤在接受《中國電子報》記者采訪時表示,“我國台灣走的則是利基型存儲器路線,基本上都是別人淘汰後不做的產品。”
“我國台灣地區在半導體產業發展上,應該說總體是成功的。”業內專家莫大康告訴《中國電子報》記者,“但是即便投入了300億美元,其存儲器之夢也未能實現。”
莫大康表示,上世紀80年代日本追趕美國,以及90年代韓國追趕日本,都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設計技術相對簡單且易於擴大市場份額等。韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時,以9座8英寸晶圓廠的產能優勢,一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產業的第一。
我國台灣地區試圖以同樣的方法,希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時,以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。根據此理念,台灣從 2004年開始加速存儲器方麵的投資,5年內總投資高達300億美元以上,擁有了20條12英寸晶圓生產線,位列全球第一,大大超出同期三星的投資。但是最終,台灣並未因12英寸晶圓生產線多而取得勝利,韓國的三星電子及SK海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位,台灣隻得宣布放棄存儲器追趕策略,轉而固守陣地。
“台灣在存儲器領域的失敗自然有其多方麵原因,但存儲器產業的確需要的投資太多,專利壟斷太過激烈,風險也太大。”莫大康表示,“在激烈的競爭中,原來的幾十家企業現在隻剩下三家主流企業,多年來再無新企業進入,中國企業想靠砸錢進去實在是太難了。”
對此,我國台灣的存儲器雙雄華亞科、南亞科也指出,我國大陸雖然資金寬裕,但欠缺關鍵技術。華亞科總經理梅國勳表示,DRAM產業依賴資金、人才與技術,而目前技術都掌握在三星、SK海力士和美光手上,大陸如果從零開始,至少得花五到十年。不過,南亞科相關負責人也提出,若三大企業同意授權,在各方麵給予技術支持,那麽三年後也許就能得到很大發展。
做好長期大規模投入並虧損的心理準備
綜合各方麵觀點來看,發展存儲器產業,有三條路擺在午夜福利视频一区麵前:自主研發、國際並購和兩岸合作。
台灣半導體協會理事長盧超群向《中國電子報》記者建議,兩岸存儲產業應發揮各自特點,實現優勢互補,加強企業間的合作,而不是單純地進行市場購買行為。
不過,有專家指出,兩岸合作解決不了我國大陸存儲器產業發展的根本性的技術問題,從台灣過去的發展曆程和經驗來看,其核心技術來源於歐美的授權,所以隻能做落後產品和利基型市場。
從自主研發的布局來看,中國科學院微電子研究所所長葉甜春在接受《中國電子報》記者采訪時表示,布局閃存還是存在機會的,特別是先進存儲技術,如三維閃存技術等。具體途徑上,可以采取研究院所與企業聯合創新的模式。
據悉,在該領域,武漢新芯已在今年2月份與飛索半導體達成合作,將聯手開發和生產三維閃存技術和產品,首款合作產品預計將於2017年問世。
從國際並購的角度來考慮,霍雨濤認為,長期來看,還是要瞄向三星電子、SK海力士、美光這些廠商,或者合作,或者收購,而且同步的自主研發必不可少的。RAM從SDR、DDR、DDR2、DDR3發展到目前主流的DDR4,NAND也從SLC、MLC發展到目前的TLC,技術演進速度很快,投資也很大。至於我國具體的發展路徑,需要詳細分析技術來源的可獲得性,再看切入點。
無論朝哪個方向走,發展存儲器產業注定沒有捷徑,“彎道超車”希望渺茫。“存儲器和CPU一樣,是芯片領域的最大細分市場,同樣也是芯片領域的戰略製高點,所以一定是正麵主戰場,靠遊擊戰是不行的。”霍雨濤強調,“做存儲器產業,就要做好長期大規模投入、大規模虧損的心理準備,板凳要坐十年冷,就像京東方之前投平板顯示一樣。
如果說國家層麵有了十年不賺錢的準備,那後麵的執行層麵就好說了。缺錢投錢,缺人找人,缺技術找技術,一直瞄準戰略方向和目標持續投入。”
“實際上,相對於需要軟件支持的CPU而言,發展存儲器產業的難度可能還小一些。”莫大康認為,“但是這麽大的投入,這麽高的風險,無論是企業層麵還是國家層麵,這個決心都很難下。”他建議慎重起見,從中小型項目開始投資,慢慢發展,慢慢跟上。
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